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        微电子行业SEM样品制备方法及应用

        浏览次数: 日期:2018年6月22日 09:28

        徕卡精研一体机TXP可以对样品进行精确定位研磨,高效率的处理以往难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光,确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察,或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割,非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。

        TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。

        以TXP制备电子样品的应用举例:

        芯片缺陷点剖析

         

        样品描述

        样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片,反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置)

        使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连,为缺陷位置,需要从中间刨开。

        红圈为目标位置,大约 8μm)

        第一步

        用金刚石锯片切断样品,距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋)

        (加工角度,样品倾斜30度观察)

         

        第二步

        转速1500转/分钟,400#碳化研磨砂纸,研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损,平整无倒角!

        芯片正面观察角度,400#碳化硅砂纸研磨之后

         

        第三步

        转速2300转/分钟,9微米金刚石砂纸研磨,研磨量120μm,研磨之后样品划痕变细。

         

        第四步

        转速2300转/分钟,2微米金刚石砂纸研磨,研磨量为60μm,研磨之后样品划痕变细!

         

        第五步

        转速2300转/分钟,0.5μm金刚石砂纸研磨,研磨量为20μm,研磨之后样品面到达观察分析要求!

         

        芯片制样结果

        芯片表面观察角度

        芯片截面观察角度

         

         

        所属类别: 应用支持

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