专业知识
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微电子行业SEM样品制备方法及应用
- 分类：应用支持
- 作者：
- 来源：
- 发布时间：2018-06-22 14:03
- 访问量：
【概要描述】徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨，高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光，确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察，或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割，非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。 TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。 以TXP制备电子样品的应用举例： 芯片缺陷点剖析 样品描述 样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置) 使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连，为缺陷位置，需要从中间刨开。 (红圈为目标位置，大约 8μm) 第一步 用金刚石锯片切断样品，距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋) (加工角度，样品倾斜30度观察) 第二步 转速1500转/分钟，400#碳化研磨砂纸，研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损，平整无倒角! (芯片正面观察角度，400#碳化硅砂纸研磨之后) 第三步 转速2300转/分钟，9微米金刚石砂纸研磨，研磨量120μm，研磨之后样品划痕变细。 第四步 转速2300转/分钟，2微米金刚石砂纸研磨，研磨量为60μm，研磨之后样品划痕变细! 第五步 转速2300转/分钟，0.5μm金刚石砂纸研磨，研磨量为20μm，研磨之后样品面到达观察分析要求! 芯片制样结果 (芯片表面观察角度) (芯片截面观察角度)
微电子行业SEM样品制备方法及应用
【概要描述】徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨，高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光，确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察，或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割，非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。
TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。
以TXP制备电子样品的应用举例：
芯片缺陷点剖析
样品描述
样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置)
使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连，为缺陷位置，需要从中间刨开。
(红圈为目标位置，大约 8μm)
第一步
用金刚石锯片切断样品，距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋)
(加工角度，样品倾斜30度观察)
第二步
转速1500转/分钟，400#碳化研磨砂纸，研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损，平整无倒角!
(芯片正面观察角度，400#碳化硅砂纸研磨之后)
第三步
转速2300转/分钟，9微米金刚石砂纸研磨，研磨量120μm，研磨之后样品划痕变细。
第四步
转速2300转/分钟，2微米金刚石砂纸研磨，研磨量为60μm，研磨之后样品划痕变细!
第五步
转速2300转/分钟，0.5μm金刚石砂纸研磨，研磨量为20μm，研磨之后样品面到达观察分析要求!
芯片制样结果
(芯片表面观察角度)
(芯片截面观察角度)
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徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨，高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光，确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察，或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割，非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。
TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。
以TXP制备电子样品的应用举例：
芯片缺陷点剖析
样品描述
样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置)
使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连，为缺陷位置，需要从中间刨开。
(红圈为目标位置，大约 8μm)
第一步
用金刚石锯片切断样品，距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋)
(加工角度，样品倾斜30度观察)
第二步
转速1500转/分钟，400#碳化研磨砂纸，研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损，平整无倒角!
(芯片正面观察角度，400#碳化硅砂纸研磨之后)
第三步
转速2300转/分钟，9微米金刚石砂纸研磨，研磨量120μm，研磨之后样品划痕变细。
第四步
转速2300转/分钟，2微米金刚石砂纸研磨，研磨量为60μm，研磨之后样品划痕变细!
第五步
转速2300转/分钟，0.5μm金刚石砂纸研磨，研磨量为20μm，研磨之后样品面到达观察分析要求!
芯片制样结果
(芯片表面观察角度)
(芯片截面观察角度)
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