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微电子行业SEM样品制备方法及应用

  • 分类:应用支持
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  • 来源:
  • 发布时间:2018-06-22 14:03
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【概要描述】徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨,高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光,确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察,或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割,非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。 TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。 以TXP制备电子样品的应用举例: 芯片缺陷点剖析 样品描述 样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片,反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置) 使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连,为缺陷位置,需要从中间刨开。 (红圈为目标位置,大约 8μm) 第一步 用金刚石锯片切断样品,距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋) (加工角度,样品倾斜30度观察) 第二步 转速1500转/分钟,400#碳化研磨砂纸,研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损,平整无倒角! (芯片正面观察角度,400#碳化硅砂纸研磨之后) 第三步 转速2300转/分钟,9微米金刚石砂纸研磨,研磨量120μm,研磨之后样品划痕变细。 第四步 转速2300转/分钟,2微米金刚石砂纸研磨,研磨量为60μm,研磨之后样品划痕变细! 第五步 转速2300转/分钟,0.5μm金刚石砂纸研磨,研磨量为20μm,研磨之后样品面到达观察分析要求! 芯片制样结果 (芯片表面观察角度)   (芯片截面观察角度)

微电子行业SEM样品制备方法及应用

【概要描述】徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨,高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光,确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察,或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割,非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。

TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。

以TXP制备电子样品的应用举例:

芯片缺陷点剖析



样品描述

样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片,反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置)

使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连,为缺陷位置,需要从中间刨开。



(红圈为目标位置,大约 8μm)

第一步

用金刚石锯片切断样品,距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋)



(加工角度,样品倾斜30度观察)

第二步

转速1500转/分钟,400#碳化研磨砂纸,研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损,平整无倒角!



(芯片正面观察角度,400#碳化硅砂纸研磨之后)

第三步

转速2300转/分钟,9微米金刚石砂纸研磨,研磨量120μm,研磨之后样品划痕变细。

第四步

转速2300转/分钟,2微米金刚石砂纸研磨,研磨量为60μm,研磨之后样品划痕变细!

第五步

转速2300转/分钟,0.5μm金刚石砂纸研磨,研磨量为20μm,研磨之后样品面到达观察分析要求!

芯片制样结果



(芯片表面观察角度)



 

(芯片截面观察角度)

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  • 发布时间:2018-06-22 14:03
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徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨,高效率的处理难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光,确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察,或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割,非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。

TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。

以TXP制备电子样品的应用举例:

芯片缺陷点剖析

样品描述

样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片,反面粘有塑料薄片。(缺陷点的记号笔标记位置)

使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连,为缺陷位置,需要从中间刨开。

(红圈为目标位置,大约 8μm)

第一步

用金刚石锯片切断样品,距离目标位置800μm左右。(TXP精研一体机省去包埋)

(加工角度,样品倾斜30度观察)

第二步

转速1500转/分钟,400#碳化研磨砂纸,研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损,平整无倒角!

(芯片正面观察角度,400#碳化硅砂纸研磨之后)

第三步

转速2300转/分钟,9微米金刚石砂纸研磨,研磨量120μm,研磨之后样品划痕变细。

第四步

转速2300转/分钟,2微米金刚石砂纸研磨,研磨量为60μm,研磨之后样品划痕变细!

第五步

转速2300转/分钟,0.5μm金刚石砂纸研磨,研磨量为20μm,研磨之后样品面到达观察分析要求!

芯片制样结果

(芯片表面观察角度)

 

(芯片截面观察角度)

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